Компания INTEL представила самую производительную флэш-память для сотовых телефонов с доступом в Интернет.
17 апреля 2002 г. корпорация Intel представила самую производительную в мире флэш-память для сотовых телефонов, а также новые методы изготовления корпусов микросхем флэш-памяти.
Рассчитанная на напряжение 1,8 V новая флэш-память Intel Wireless Flash производится по передовой 0,13-микронной производственной технологии Intel и работает в четыре раза быстрее существующих аналогов. Это позволяет увеличить скорость передачи данных и, следовательно, предоставляет возможность владельцам телефонов с доступом в Интернет быстрее просматривать Web-страницы, получать мультимедийную информацию и обмениваться текстовыми сообщениями. Кроме того, новая микросхема обладает меньшим энергопотреблением, что обеспечивает более длительное время работы телефонов без подзарядки батареи.
“Для телефонов, обладающих доступом в Интернет, флэш-память имеет исключительно важное значение, – заявил на Форуме Intel для разработчиков Рон Смит (Ron Smith), старший вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер ее подразделения Wireless Communications and Computing Group. – По мере того, как сотовые телефоны начинают оперировать все большим количеством интернет-приложений, интенсивно работающих с данными, все острее ощущается потребность в увеличении емкости, повышении производительности и снижении энергопотребления флэш-памяти. Корпорация Intel первой с успехом решила задачу по налаживанию производства именно такой продукции”.
Новые методы изготовления корпусов флэш-памяти
На токийском Форуме Intel для разработчиков представители корпорации рассказали также о новом методе изготовления корпусов микросхем, который обеспечивает существенное повышение производительности памяти в сотовых телефонах небольшого размера. В основе нового метода лежит размещение нескольких высокоинтегрированных микросхем памяти и логических микросхем в общем корпусе, а также специальная укладка корпусов для реализации высокоуровневой интеграции кристаллов и увеличения их плотности на меньшей площади. Эффективность нового метода изготовления корпусов особенно важна для устройств малых форм-факторов – например, сотовых телефонов, требующих большого объема памяти, но располагающих жестко ограниченным свободным местом на печатной плате. Корпорация Intel начнет опытное производство флэш-памяти с новыми корпусами уже в этом году.
“Помимо производства флэш-памяти по 0,13-микронной технологии, что само по себе означает опережение всех конкурентов на целое поколение продукции, Intel также предлагает новый метод изготовления корпусов мирового класса – от одного кристалла до интегрированных многокристальных подсистем”, – подчеркнул Дарин Биллербек (Darin Billerbeck), вице-президент подразделения Intel Wireless Communications and Computing Group и генеральный менеджер Intel Flash Products Group.
Беспроводные устройства: в любом месте, в любое время
В основу беспроводной продукции Intel положены три ключевые технологии: флэш-память Intel Wireless Flash, микроархитектура Intel XScale для обработки приложений и архитектура Intel Micro Signal для обработки команд. Эти технологии оптимизированы с целью повышения производительности и снижения энергопотребления беспроводных устройств и являются основными составляющими архитектуры Intel Personal Internet Client Architecture (Intel PCA) – технического проекта Intel для разработчиков беспроводных портативных коммуникационных устройств, сочетающих в себе возможности речевого общения и доступа к ресурсам Интернета.
Флэш-память Intel Wireless Flash на 1,8 В будет выпускаться в микросхемах емкостью 64 и 32 Мбит. Микросхемы емкостью 64 Мбит в настоящее время производятся в опытном порядке. Начало их массового производства намечено на август текущего года. Опытное производство микросхем емкостью 32 Мбит начнется в июне текущего года, а их запуск в массовое производство намечен на октябрь текущего года.
Также в течение этого года начнется опытное производство микросхем емкостью 128 Мбит. Их серийный выпуск запланирован на 2003 г. В партии 10.000 шт. стоимость одной микросхемы емкостью 64 Мбит составляет 14,91 долл. Стоимость одной микросхемы емкостью 32 Мбит составляет 8,97 долл. В настоящее время массовое производство микросхем флэш-памяти всех трех емкостей осуществляется по 0,18-микронной технологии.
Самые свежие авто новости Украины и мира.
Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.