Корпорация Intel представила сверхтонкие устройства флэш-памяти многоуровневой компоновки для широкого ассортимента сотовых телефонов
Корпорация Intel представила серию устройств флэш-памяти, объединяющих в себе до пяти сверхтонких микросхем, способных значительно расширить объем памяти мобильных телефонных аппаратов при пониженном энергопотреблении и оптимальной компоновке. Беспроводные запоминающие устройства Intel StrataFlash в компактном корпусе типа Intel Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging (CSP), напряжение питания которых составляет всего 1,8 вольта, призваны облегчить проектировщикам решение задач по расширению функций относительно тонких мобильных телефонных аппаратов за счет возможностей фото и видеосъемки, компьютерных игр, обмена сообщениями по электронной почте.
Одновременно корпорация Intel объявила о достижении рекордного объема поставок устройств флэш-памяти в 2 миллиарда единиц, что можно расценить как убедительное подтверждение растущей роли таких устройств на рынке сотовой телефонии и беспроводной связи. Оба сообщения сделаны вице-президентом корпорации Intel и руководителем ее подразделения Flash Products Group Дарином Биллербеком (Darin Billerbeck) в докладе на проходящем в Токио Форуме Intel для разработчиков.
«Многоуровневая компоновка стремительно становится стандартом на рынке сотовых и беспроводных средств связи, — отметил докладчик. — Высокая плотность размещения запоминающих устройств Intel StrataFlash в сверхтонком многоуровневом корпусе типа CSP существенно расширяет возможности наших заказчиков по изготовлению мобильных телефонных аппаратов, насыщенных самыми разнообразными функциями без малейшего ущерба их миниатюрности».
На организацию поставок первого миллиарда отдельных устройств флэш-памяти у корпорации Intel ушло 12 лет, второго миллиарда — всего три года. Помимо этого, объем поставок устройств флэш-памяти многоуровневой компоновки в корпусе типа Intel® Stacked Chip-Scale Packaging (Intel Stacked-CSP) уже превысил 150 млн единиц.
Первоначально устройства флэш-памяти в корпусе типа Intel Stacked-CSP проектировались и изготавливались на заказ для производителей высококлассных многофункциональных мобильных телефонных аппаратов. Сегодняшний день знаменуется новым подходом к изготовлению устройств флэш-памяти многоуровневой компоновки на основе крупномасштабного, унифицированного производственного процесса, способного значительно ускорить насыщение рынка. Новые, унифицированные устройства флэш-памяти многоуровневой компоновки призваны упростить модернизацию базовых моделей беспроводных аппаратов путем уплотнения размещения запоминающих устройств и, как следствие, наращивания их объема и, в целом, производительности такого оборудования.
Высококлассные полупроводниковые устройства и их компоновка
Применение нового корпуса типа Intel Ultra-Thin Stacked-CSP, разработанного на основе самой передовой технологии изготовления и компоновки сверхтонких полупроводниковых пластин, сделало возможным создание низкопрофильных, тонких устройств флэш-памяти серии Intel Stacked-CSP, отличающихся повышенной гибкостью компоновки. В основе чрезвычайной миниатюрности и привлекательности многоуровневых решений Intel для беспроводного оборудования лежит сочетание низкого энергопотребления (1,8 вольта) устройств флэш-памяти Intel StrataFlash с новым, сверхкомпактным корпусом типа Intel Ultra-Thin Stacked-CSP.
В одном устройстве флэш-памяти многоуровневой компоновки размещается до пяти кристаллов, при этом его высота не превышает 1,0 мм. Запоминающие устройства типа SRAM, PSRAM и LP-SDRAM работают на 16-ти или 32-разрядной шине. Объем памяти таких устройств, намеченных к выпуску в текущем году, составит до 512 мегабит (Мбит), а в следующем году будет увеличена до 1 гигабита (Гбит), что обеспечит бесперебойную работу массивных приложений для обработки данных одновременно с исполнением программного кода. Помимо этого, в устройствах будет применяться новейшая технология многоуровневой ячеистой флэш-памяти Intel.
Многоуровневая ячеистая флэш-память (MLC), впервые представленная Intel еще в 1997 г., отличается удвоенным объемом данных, которые записываются в каждую ячейку памяти, а также повышенной плотностью компоновки и дешевизной таких устройств. Микросхемы Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающие под напряжением 1,8 вольта и представляющие четвертое поколение технологии флэш-памяти Intel MLC, изготавливаются на основе самого передового производственного процесса — 0,13-микронной литографии. Первые в мире устройства флэш-памяти типа MLC, работающие под напряжением 1,8 вольта, обеспечивают существенный прирост производительности беспроводных аппаратов, наряду с пониженным энергопотреблением и увеличенным временем автономной работы, способствуя дальнейшей миниатюризации такого оборудования.
Цены и возможность приобретения
В настоящее время идут поставки опытных образцов устройств серии Intel Ultra-Thin Stacked-CSP на основе микросхем флэш-памяти Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающих под напряжением 1,8 вольта. Начало массовых поставок намечено на третий квартал 2003 г. Цены устанавливаются в зависимости от конкретного типа микросхем оперативной и флэш-памяти.
Самые свежие авто новости Украины и мира.
Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.